Исходное сообщение
"В ядре Linux 6.3 всплыла проблема, приводящая к повреждению ..." Отправлено n00by, 30-Май-23 08:41
>> Вы так полагаете, поскольку не изучали ТОЭ, ФОЭТ и прочие удивительные аббревиатуры? >> Не шили ППЗУ с УФ стиранием? Вот там после нескольких циклов >> записи-стирания приходилось увеличивать ток в надежде, что получится залить очередную >> прошивку. Вот это можно зазвать усилением записи. И совершенно внезапно SSD >> собраны на основе ППЗУ (ЭСППЗУ). > Тут пришел другой аноним и ему интересно > 1) А как вы именно больше _тока_ вгоняли? Повысив напряжение программирования? Ну я ж написал "в надежде"... в т.ч. что не потребуется объяснять про нелинейность ВАХ и лавинообразный пробой. > 2) Как вы в современном флеше вообще ток контролировать собираетесь? Это все > рулится state machine на кристалле чипа флехи, она сама обеспечивает нужные > параметры стирания и программирования (2 разных процесса, оба требуют). А повышенный > вольтаж - начиповым charge pump'ом делается. Машина состояний его сама включает > по мере надобности и наружу это вообще не вывешено. Вот и я примерно так подумал когда увидел, а потом выяснил, что на самом деле эксперт по флешам назвал "усилением записи" запись лишних байт.

Ваше сообщение
Имя*:
EMail:	Для отправки ответов на email укажите знак ! перед адресом, например, !user@host.ru (!! - не показывать email). Более тонкая настройка отправки ответов производится в профиле зарегистрированного участника форума.
Заголовок*:
Сообщение*:	>>> Вы так полагаете, поскольку не изучали ТОЭ, ФОЭТ и прочие удивительные аббревиатуры? >>> Не шили ППЗУ с УФ стиранием? Вот там после нескольких циклов >>> записи-стирания приходилось увеличивать ток в надежде, что получится залить очередную >>> прошивку. Вот это можно зазвать усилением записи. И совершенно внезапно SSD >>> собраны на основе ППЗУ (ЭСППЗУ). >> Тут пришел другой аноним и ему интересно >> 1) А как вы именно больше _тока_ вгоняли? Повысив напряжение программирования? > Ну я ж написал "в надежде"... в т.ч. что не потребуется объяснять > про нелинейность ВАХ и лавинообразный пробой. >> 2) Как вы в современном флеше вообще ток контролировать собираетесь? Это все >> рулится state machine на кристалле чипа флехи, она сама обеспечивает нужные >> параметры стирания и программирования (2 разных процесса, оба требуют). А повышенный >> вольтаж - начиповым charge pump'ом делается. Машина состояний его сама включает >> по мере надобности и наружу это вообще не вывешено. > Вот и я примерно так подумал когда увидел, а потом выяснил, что > на самом деле эксперт по флешам назвал "усилением записи" запись лишних > байт.
	Введите код, изображенный на картинке: